ガスレビュー GAS REVIEW

シン・エッチングガスPF3登場

フッ酸と混合して高アスペクト比を実現、地球温暖化係数84％減少
超低温（マイナス60℃）で処理/TEL開発

東京エレクトロンは昨年６月９日、深さ10μm、400層を超える３Ｄ‐ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ向け超高速かつ地球温暖化係数84％減少を実現したメモリチャンネルホールエッチング技術を、グループ企業の東京エレクトロン宮城が開発したと発表した。これまで絶縁膜エッチングで実用化されていなかったマイナス60℃という超低温領域において、絶縁膜エッチング速度を格段に上げる新たなプロセスである。